


Vishay
SQ2337ES-T1_GE3
278-SQ2337ES-T1_GE3
PDF 데이터시트
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
15 weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
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B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질기술 사양
Package/Case
SOT-23
Continuous Drain Current (ID)
2.2A
Drain to Source Breakdown Voltage
-80V
Drain to Source Resistance
241mR
드레인-소스 전압(Vdss)
-80V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
키
1.12mm
Max Operating Temperature
175°C
FAQ
SQ2337ES-T1_GE3은(는) 무엇인가요?
SQ2337ES-T1_GE3은(는) Vishay의 Single FETs, MOSFETs입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
SQ2337ES-T1_GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SQ2337ES-T1_GE3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
SQ2337ES-T1_GE3은(는) 현재 재고가 있나요?
SQ2337ES-T1_GE3의 장착 방식은 무엇인가요?



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