Vishay_SIZF906BDT-T1-GE3
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Vishay
SIZF906BDT-T1-GE3

278-SIZF906BDT-T1-GE3
PDF 데이터시트
Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
17 weeks

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1630@15V@Channel 1|5550@15V@Channel 2
Category
Power MOSFET
구성
Dual
PCB changed
8
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
21|22@Channel 1|40@Channel 2|41
HTS
8541.29.00.95
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Number of Elements per Chip
2
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FAQ

SIZF906BDT-T1-GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SIZF906BDT-T1-GE3에 현재 표시된 표준 리드타임은 17 weeks입니다.
SIZF906BDT-T1-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SIZF906BDT-T1-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
SIZF906BDT-T1-GE3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
SIZF906BDT-T1-GE3은(는) 무엇인가요?
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