Vishay_SIZ998BDT-T1-GE3
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Vishay
SIZ998BDT-T1-GE3

278-SIZ998BDT-T1-GE3
PDF 데이터시트
Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
2130@15V@Channel 2|790@15V@Channel 1
Category
Power MOSFET
구성
Dual
PCB changed
8
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
15|20@Channel 1|30@Channel 2|40
HTS
8541.29.00.95
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Number of Elements per Chip
2
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FAQ

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예. 현재 SIZ998BDT-T1-GE3의 재고는 8개로 표시됩니다.
SIZ998BDT-T1-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SIZ998BDT-T1-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
SIZ998BDT-T1-GE3은(는) 무엇인가요?
SIZ998BDT-T1-GE3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
유효성 (재고 : 8 )
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