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SIR688DP-T1-GE3
278-SIR688DP-T1-GE3
PDF 데이터시트
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERPAK, SOP-8
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책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
SO
Continuous Drain Current (ID)
60A
Drain to Source Resistance
3.5mR
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
Fall Time
8ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
입력 커패시턴스
3.105nF
Max Operating Temperature
150°C
FAQ
SIR688DP-T1-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SIR688DP-T1-GE3에 현재 표시된 전압 관련 사양은 60V입니다.
SIR688DP-T1-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
SIR688DP-T1-GE3은(는) 현재 재고가 있나요?
SIR688DP-T1-GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SIR688DP-T1-GE3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
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