Vishay_SIR418DP-T1-GE3
original

Vishay
SIR418DP-T1-GE3

278-SIR418DP-T1-GE3
PDF 데이터시트
N-Channel MOSFET, 40V, 40A, 5mR Rds On, Surface Mount
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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Continuous Drain Current (ID)
40A
Drain to Source Resistance
5mR
드레인-소스 전압(Vdss)
40V
Fall Time
12ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
입력 커패시턴스
2.41nF
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
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FAQ

SIR418DP-T1-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 SIR418DP-T1-GE3의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
SIR418DP-T1-GE3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SIR418DP-T1-GE3은(는) 현재 재고가 있나요?
SIR418DP-T1-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SIR418DP-T1-GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
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