Vishay / Siliconix
SQJB70EP-T1_GE3
FET, MOSFET 어레이
SQJB70EP-T1_GE3
289-SQJB70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix-SQJB70EP-T1_GE3-datasheets-3784029.pdf
MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8
재고 : 28043
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기술 사양
구성
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품상태
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
패키지/케이스
기술
제조업체
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
FET 기능
ECCN
등급
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
시리즈
자격
전력 - 최대
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
HTSUS
패키지
기본 제품 번호
Unit Weight
Id - Continuous Drain Current
Channel Mode
Fall Time
RoHS
Qg - Gate Charge
Tradename
트랜지스터 유형
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
Maximum Operating Temperature
Rds On - Drain-Source Resistance
장착 스타일
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Rise Time
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Pd - Power Dissipation
USHTS
SQJB70EP-T1_GE3 서류
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