Vishay / Siliconix
SQJ403BEEP-T1_BE3
단일 FET, MOSFET
SQJ403BEEP-T1_BE3
278-SQJ403BEEP-T1_BE3
Vishay / Siliconix-SQJ403BEEP-T1_BE3-datasheets-11257452.pdf
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
재고 : 25917
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기술 사양
작동 온도
FET 기능
FET 유형
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
ECCN
장착 유형
제품상태
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
시리즈
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
제조업체
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
Vgs(최대)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
Unit Weight
구성
Id - Continuous Drain Current
Channel Mode
Fall Time
RoHS
Qg - Gate Charge
트랜지스터 유형
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
Maximum Operating Temperature
Rds On - Drain-Source Resistance
장착 스타일
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Rise Time
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Pd - Power Dissipation
USHTS
SQJ403BEEP-T1_BE3 서류
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