Vishay / Siliconix
SISS5108DN-T1-GE3
단일 FET, MOSFET
SISS5108DN-T1-GE3
278-SISS5108DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix-SISS5108DN-T1-GE3-datasheets-4854072.pdf
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
재고 : 14205
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기술 사양
작동 온도
FET 기능
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
ECCN
장착 유형
제품상태
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
시리즈
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
제조업체
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
Vgs(최대)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
기본 제품 번호
수분 민감도 수준(MSL)
구성
Id - Continuous Drain Current
Channel Mode
Fall Time
RoHS
Qg - Gate Charge
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
Maximum Operating Temperature
Rds On - Drain-Source Resistance
장착 스타일
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Rise Time
Forward Transconductance - Min
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Pd - Power Dissipation
USHTS
SISS5108DN-T1-GE3 서류
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Manufacturing Capacity Expansion 27/Jul/2023 N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 관련 부품
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