Vishay / Siliconix_SIRS4401DP-T1-GE3
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Vishay / Siliconix
SIRS4401DP-T1-GE3

278-SIRS4401DP-T1-GE3
PDF 데이터시트
P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
14 Weeks

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

FET 유형
P-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
21850 pF @ 20 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
588 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전력 소비(최대)
7.4W (Ta), 132W (Tc)
패키지/케이스
PowerPAK® SO-8
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FAQ

SIRS4401DP-T1-GE3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
SIRS4401DP-T1-GE3은(는) 현재 PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스로 제공됩니다.
SIRS4401DP-T1-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SIRS4401DP-T1-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
SIRS4401DP-T1-GE3은(는) 무엇인가요?
SIRS4401DP-T1-GE3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
유효성 (재고 : 68 )
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