Vishay / Siliconix
SIR186LDP-T1-RE3
단일 FET, MOSFET
SIR186LDP-T1-RE3
278-SIR186LDP-T1-RE3
Vishay / Siliconix-SIR186LDP-T1-RE3-datasheets-2342750.pdf
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
재고 : 18634
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기술 사양
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품상태
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
FET 기능
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
구성
Id - Continuous Drain Current
Channel Mode
Fall Time
RoHS
Qg - Gate Charge
Tradename
트랜지스터 유형
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
Maximum Operating Temperature
Rds On - Drain-Source Resistance
장착 스타일
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Rise Time
Forward Transconductance - Min
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Pd - Power Dissipation
USHTS
SIR186LDP-T1-RE3 서류
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New solder paste 26/May/2023 SIR186LDP SIR186LDP Mult Dev 07/Jun/2023 관련 부품
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