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Vishay / Siliconix
SI2308BDS-T1-E3
278-SI2308BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
14 Weeks
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
FET 유형
N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
190 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
SOT-23-3 (TO-236)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
Power Dissipation-Max
1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FAQ
SI2308BDS-T1-E3의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 SI2308BDS-T1-E3의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
SI2308BDS-T1-E3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SI2308BDS-T1-E3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
SI2308BDS-T1-E3은(는) 현재 재고가 있나요?
SI2308BDS-T1-E3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
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