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SIHG25N50E-GE3
278-SIHG25N50E-GE3
PDF 데이터시트
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
18 weeks
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
TO-247-3
Continuous Drain Current (ID)
26A
Drain to Source Resistance
145mR
드레인-소스 전압(Vdss)
500V
Fall Time
29ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
입력 커패시턴스
1.98nF
Max Operating Temperature
150°C
FAQ
SIHG25N50E-GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
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