Vishay_SIHD9N60E-GE3
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Vishay
SIHD9N60E-GE3

278-SIHD9N60E-GE3
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E Series Power MOSFET
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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

PCB changed
2
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Drain Source Voltage (V)
600
HTS
EA
PPAP
No
Package Length
6.73(Max)
Maximum Power Dissipation (mW)
78000
Standard Package Name
TO
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FAQ

SIHD9N60E-GE3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
SIHD9N60E-GE3은(는) 현재 DPAK-3 (TO-252-3) 패키지 / 케이스로 제공됩니다.
SIHD9N60E-GE3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SIHD9N60E-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
SIHD9N60E-GE3은(는) 무엇인가요?
SIHD9N60E-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
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