Vishay_SIHD2N80E-GE3
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Vishay
SIHD2N80E-GE3

278-SIHD2N80E-GE3
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Trans MOSFET N-CH 800V 2.8A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
315@100V
Category
Power MOSFET
구성
Single
PCB changed
2
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
19
HTS
8541.29.00.95
Number of Elements per Chip
1
ECCN (US)
EAR99
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FAQ

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유효성 (재고 : 2020 )
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10+ $0.74228 $7.42
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75+ $0.64285 $48.21
525+ $0.62057 $325.80
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