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Vishay
SIHB22N65E-GE3
278-SIHB22N65E-GE3
PDF 데이터시트
MOSFET 650V 180mOhm@10V 22A N-Ch E-SRS
18 weeks
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1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
TO-263
Continuous Drain Current (ID)
22A
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Drain to Source Resistance
180mR
드레인-소스 전압(Vdss)
650V
Fall Time
38ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
4V
입력 커패시턴스
2.415nF
FAQ
SIHB22N65E-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 SIHB22N65E-GE3의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
SIHB22N65E-GE3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
SIHB22N65E-GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SIHB22N65E-GE3은(는) 무엇인가요?
SIHB22N65E-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
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