Vishay_SIE836DF-T1-GE3
original

Vishay
SIE836DF-T1-GE3

285-SIE836DF-T1-GE3
MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Continuous Drain Current (ID)
4.1A
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Drain to Source Resistance
130mR
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
Fall Time
10ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
입력 커패시턴스
1.2nF
Max Operating Temperature
150°C
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FAQ

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SIE836DF-T1-GE3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
SIE836DF-T1-GE3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
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