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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Continuous Drain Current (ID)
41.3A
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Drain to Source Resistance
1.7mR
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
Drain-source On Resistance-Max
1.7mR
Fall Time
10ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
입력 커패시턴스
13nF
FAQ
SIE806DF-T1-E3은(는) 무엇인가요?
SIE806DF-T1-E3은(는) Vishay의 RF FETs, MOSFETs입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
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