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SIA477EDJ-T1-GE3
278-SIA477EDJ-T1-GE3
PDF 데이터시트
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 12V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-70, 6 PIN
18 weeks
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Continuous Drain Current (ID)
12A
드레인-소스 전압(Vdss)
12V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
입력 커패시턴스
2.97nF
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
Max Power Dissipation
19W
Mount
Surface Mount
FAQ
SIA477EDJ-T1-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SIA477EDJ-T1-GE3에 현재 표시된 전압 관련 사양은 12V입니다.
SIA477EDJ-T1-GE3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
SIA477EDJ-T1-GE3은(는) 현재 재고가 있나요?
SIA477EDJ-T1-GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SIA477EDJ-T1-GE3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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