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Vishay
SI8851EDB-T2-E1
278-SI8851EDB-T2-E1
PDF 데이터시트
VISHAY SI8851EDB-T2-E1 MOSFET, P CHANNEL, -20V, -16.7A, MICRO FOOT
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B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Continuous Drain Current (ID)
16.7A
Drain to Source Resistance
8mR
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
Fall Time
35ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
입력 커패시턴스
6.9nF
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
FAQ
SI8851EDB-T2-E1은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
SI8851EDB-T2-E1은(는) 현재 3000 패키지 / 케이스로 제공됩니다.
SI8851EDB-T2-E1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SI8851EDB-T2-E1은(는) 현재 재고가 있나요?
SI8851EDB-T2-E1의 장착 방식은 무엇인가요?
SI8851EDB-T2-E1은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
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