Vishay_SI7192DP-T1-GE3
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Vishay
SI7192DP-T1-GE3

278-SI7192DP-T1-GE3
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N-CH MOSFET 30V 60A 1.9mR SOIC Surface Mount
18 weeks

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
60A
Drain to Source Resistance
1.85mR
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
Drain-source On Resistance-Max
1.9mR
Fall Time
32ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
1.04mm
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FAQ

SI7192DP-T1-GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SI7192DP-T1-GE3에 현재 표시된 표준 리드타임은 18 weeks입니다.
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SI7192DP-T1-GE3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
SI7192DP-T1-GE3은(는) 무엇인가요?
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