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책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
9.5A
Drain to Source Breakdown Voltage
80V
Drain to Source Resistance
16.5mR
드레인-소스 전압(Vdss)
80V
Drain-source On Resistance-Max
16.5mR
Fall Time
11ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
FAQ
SI4896DY-T1-E3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SI4896DY-T1-E3에 현재 표시된 표준 리드타임은 13 weeks입니다.
SI4896DY-T1-E3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SI4896DY-T1-E3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
SI4896DY-T1-E3의 장착 방식은 무엇인가요?
SI4896DY-T1-E3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
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