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SI4866DY-T1-E3
278-SI4866DY-T1-E3
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12V 11A N-CH MOSFET SOIC N 5.5mR RdsOn
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
SO
Continuous Drain Current (ID)
11A
Drain to Source Breakdown Voltage
12V
Drain to Source Resistance
5.5mR
드레인-소스 전압(Vdss)
12V
Drain-source On Resistance-Max
5.5mR
Fall Time
35ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
FAQ
SI4866DY-T1-E3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SI4866DY-T1-E3에 현재 표시된 전압 관련 사양은 12V입니다.
SI4866DY-T1-E3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SI4866DY-T1-E3은(는) 현재 재고가 있나요?
SI4866DY-T1-E3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
SI4866DY-T1-E3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
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