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Vishay
SI4447DY-T1-GE3
278-SI4447DY-T1-GE3
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P-Channel Power MOSFET, 40V, 3.3A, 54mR, SOIC
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책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
3.3A
Drain to Source Resistance
54mR
드레인-소스 전압(Vdss)
40V
Fall Time
38ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
16V
키
1.5mm
입력 커패시턴스
805pF
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