Vishay_SI3477DV-T1-GE3
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Vishay
SI3477DV-T1-GE3

278-SI3477DV-T1-GE3
PDF 데이터시트
P-Ch MOSFET, -12V, 17.5mR, 8A, TSOP, Surface Mount
18 weeks

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Package/Case
TSOP
Continuous Drain Current (ID)
8A
Drain to Source Resistance
17.5mR
드레인-소스 전압(Vdss)
12V
Drain-source On Resistance-Max
17.5mR
Fall Time
30ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
10V
입력 커패시턴스
2.6nF
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FAQ

SI3477DV-T1-GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
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SI3477DV-T1-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
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