Vishay_SI2309CDS-T1-GE3
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Vishay
SI2309CDS-T1-GE3

278-SI2309CDS-T1-GE3
PDF 데이터시트
P-CH MOSFET, -60V, 1.2A, 345mR, SOT-23-3, Surface Mount
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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Package/Case
SOT-23-3
Continuous Drain Current (ID)
1.2A
현재의
12A
Drain to Source Resistance
345mR
드레인-소스 전압(Vdss)
-60V
Drain-source On Resistance-Max
345mR
Fall Time
35ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
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FAQ

SI2309CDS-T1-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SI2309CDS-T1-GE3에 현재 표시된 전압 관련 사양은 60V입니다.
SI2309CDS-T1-GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SI2309CDS-T1-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
SI2309CDS-T1-GE3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
SI2309CDS-T1-GE3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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