Vishay_SI1029X-T1-GE3
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Vishay
SI1029X-T1-GE3

278-SI1029X-T1-GE3
PDF 데이터시트
N/P-CH JFET 60V 305mA 1.4R SOT-563F SM
6 weeks

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Package/Case
SC
Continuous Drain Current (ID)
305mA
Drain to Source Resistance
8R
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
Drain-source On Resistance-Max
4R
FET 유형
N and P-Channel
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
0.6mm
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FAQ

SI1029X-T1-GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SI1029X-T1-GE3에 현재 표시된 표준 리드타임은 6 weeks입니다.
SI1029X-T1-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
SI1029X-T1-GE3은(는) 무엇인가요?
SI1029X-T1-GE3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
SI1029X-T1-GE3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
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