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2N7002-T1-GE3
278-2N7002-T1-GE3
PDF 데이터시트
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
9 weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질기술 사양
Package/Case
TO-236-3
Continuous Drain Current (ID)
115mA
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Drain to Source Resistance
7.5R
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
40V
입력 커패시턴스
50pF
Max Operating Temperature
150°C
FAQ
2N7002-T1-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
2N7002-T1-GE3에 현재 표시된 전압 관련 사양은 60V입니다.
2N7002-T1-GE3에 수량별 가격이 있나요?
2N7002-T1-GE3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
2N7002-T1-GE3은(는) 무엇인가요?
2N7002-T1-GE3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?



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