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TT Electronics
D1211UKTR
285-D1211UKTR
PDF 데이터시트
Trans RF MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SO
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책임 있는 품질
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기술 사양
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
60(Max)@0V
구성
Single Dual Drain Dual Gate Quad Source
PCB changed
8
HTSUS
8541.29.00.95
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
1000
Typical Power Gain (dB)
10(Min)
Number of Elements per Chip
1
ECCN
EAR99
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