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Transphorm
TP65H100G4PS
278-TP65H100G4PS
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GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220
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책임 있는 품질
.png)
기술 사양
구성
Single
Id - Continuous Drain Current
18.9 A
제품
FETs
Channel Mode
Enhancement
Fall Time
7.5 ns
RoHS
RoHS Compliant
Qg - Gate Charge
14.4 nC
Tradename
SuperGaN
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