Transphorm_TP65H070LDG
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Transphorm
TP65H070LDG

278-TP65H070LDG
PDF 데이터시트
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 기능
-
FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
600 pF @ 400 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
ECCN
EAR99
장착 유형
Surface Mount
제품상태
Discontinued at Digi-Key
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FAQ

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