Transphorm_TP65H050G4WS
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Transphorm
TP65H050G4WS

278-TP65H050G4WS
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650 V 34 A GAN FET
16 Weeks

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1000 pF @ 400 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
24 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
TO-247-3
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전력 소비(최대)
119W (Tc)
패키지/케이스
TO-247-3
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FAQ

TP65H050G4WS은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
TP65H050G4WS의 동작 온도 범위는 -55°C ~ 150°C (TJ)로 표시되어 있습니다.
TP65H050G4WS의 장착 방식은 무엇인가요?
TP65H050G4WS의 표준 리드타임은 얼마인가요?
TP65H050G4WS에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
TP65H050G4WS은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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