Texas Instruments_TPS1120DRG4

Texas Instruments
TPS1120DRG4  
단일 FET, MOSFET

Texas Instruments
TPS1120DRG4
278-TPS1120DRG4
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC T/R
재고 : 38510

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    ISO9001
    Quality Policy
    ISO45001
    ISO14001

    기술 사양

    Category
    구성
    PCB changed
    Typical Turn-Off Delay Time (ns)
    Number of Elements per Chip
    ECCN (US)
    Typical Rise Time (ns)
    PPAP
    Maximum Power Dissipation (mW)
    Channel Mode
    Typical Turn-On Delay Time (ns)
    Automotive
    Minimum Operating Temperature (°C)
    Maximum Operating Temperature (°C)
    Supplier Package
    Typical Fall Time (ns)
    Package Height
    채널 유형
    EU RoHS
    Maximum Continuous Drain Current (A)
    Maximum Gate Source Voltage (V)
    Maximum Drain Source Voltage (V)
    재료
    Package Length
    Typical Gate Charge @ 10V (nC)
    Standard Package Name
    Pin Count
    Mounting
    Lead Shape
    Part Status
    SVHC
    패키지
    Package Width
    Maximum Drain Source Resistance (MOhm)
    Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

    TPS1120DRG4 서류

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