Texas Instruments_TPS1120DG4

Texas Instruments
TPS1120DG4  
단일 FET, MOSFET

Texas Instruments
TPS1120DG4
278-TPS1120DG4
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube
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ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001

기술 사양

Category
구성
PCB changed
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Maximum Power Dissipation (mW)
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
Automotive
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Supplier Package
Typical Fall Time (ns)
Package Height
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Maximum Gate Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
재료
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Standard Package Name
Pin Count
Mounting
Lead Shape
Part Status
SVHC
패키지
Package Width
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

TPS1120DG4 서류

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