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Texas Instruments
TPS1101DR
278-TPS1101DR
PDF 데이터시트
Single P-channel Enhancement-Mode MOSFET 8-SOIC
6 Weeks
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
2.3A
Drain to Source Breakdown Voltage
15V
Drain to Source Resistance
90mR
드레인-소스 전압(Vdss)
15V
Fall Time
5.5ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
2V
Lead Free
Lead Free
FAQ
TPS1101DR은(는) 무엇인가요?
TPS1101DR은(는) Texas Instruments의 Single FETs, MOSFETs입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
TPS1101DR에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
TPS1101DR은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
TPS1101DR의 장착 방식은 무엇인가요?
TPS1101DR의 표준 리드타임은 얼마인가요?
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