Texas Instruments
CSD87503Q3E
FET, MOSFET 어레이
CSD87503Q3E
289-CSD87503Q3E
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MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON
재고 : 2757
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기술 사양
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
Automotive
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
Maximum IDSS (uA)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)
Maximum Drain Source Voltage (V)
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Standard Package Name
Vgs(일)(최대) @ Id
Typical Reverse Recovery Charge (nC)
Pin Count
Mounting
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
Lead Shape
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
Typical Gate to Drain Charge (nC)
HTSUS
패키지
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)
Category
Maximum Gate Resistance (Ohm)
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
Typical Reverse Recovery Time (ns)
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Typical Fall Time (ns)
Process Technology
Package Height
Typical Gate to Source Charge (nC)
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
제조업체
RoHS 현황
Typical Gate Threshold Voltage (V)
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
Typical Gate Plateau Voltage (V)
재료
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Maximum Diode Forward Voltage (V)
시리즈
Typical Diode Forward Voltage (V)
Operating Junction Temperature (°C)
Typical Output Capacitance (pF)
전력 - 최대
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)
기본 제품 번호
Unit Weight
Id - Continuous Drain Current
Fall Time
RoHS
Qg - Gate Charge
Tradename
트랜지스터 유형
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
Maximum Operating Temperature
Rds On - Drain-Source Resistance
장착 스타일
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Rise Time
Forward Transconductance - Min
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Pd - Power Dissipation
USHTS
CSD87503Q3E 서류
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