Texas Instruments_CSD17483F4

Texas Instruments
CSD17483F4  
단일 FET, MOSFET

Texas Instruments
CSD17483F4
278-CSD17483F4
Ersa
Texas Instruments-CSD17483F4-datasheets-7415356.pdf
MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
재고 : 43685

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ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001

기술 사양

Unit Weight
VDS (V)
QGD (typ) (nC)
구성
Id - Continuous Drain Current
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Channel Mode
제품상태
Fall Time
RoHS
드레인-소스 전압(Vdss)
Tradename
Supplier Package
ID - package limited (A)
트랜지스터 유형
패키지/케이스
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
기술
REACH 상태
Carrier
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)
Rds On - Drain-Source Resistance
VGSTH typ (typ) (V)
ID - silicon limited at TC=25°C (A)
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Operating temperature range (°C)
ECCN
MSL rating / Peak reflow
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
Rise Time
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
HTSUS
패키지
Pins
USHTS
Logic level
FET 유형
Rating
공급자 장치 패키지
Qg - Gate Charge
전력 소비(최대)
QG (typ) (nC)
제조업체
Vgs(최대)
Maximum Operating Temperature
너비
RoHS 현황
장착 스타일
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)
FET 기능
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
QGS (typ) (nC)
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
REACH
시리즈
유형
길이
Forward Transconductance - Min
Lead finish / Ball material
Pd - Power Dissipation
VGS (V)
기본 제품 번호

CSD17483F4 서류

다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. CSD17483F4

Ersa Assembly Site 12/Oct/2023      
Ersa CSD17483F4      
Ersa Carrier Tape 28/Aug/2018      
Ersa CSD17483F4      
Ersa DSBGA/Usip 14/Sep/2016       CSDx 15/Mar/2022      

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