Texas Instruments
CSD16321Q5T
단일 FET, MOSFET
CSD16321Q5T
278-CSD16321Q5T
Texas Instruments-CSD16321Q5T-datasheets-2189003.pdf
25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
재고 : 600
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기술 사양
구성
PCB changed
HTS
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
ECCN (US)
PPAP
제품상태
공급자 장치 패키지
Automotive
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
Supplier Package
패키지/케이스
기술
Package Height
Typical Gate to Source Charge (nC)
제조업체
Vgs(최대)
EU RoHS
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
Typical Gate Threshold Voltage (V)
작동 온도
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
ECCN
Package Length
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
Pin Count
Mounting
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
Part Status
Typical Gate to Drain Charge (nC)
SVHC
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
Package Width
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
기본 제품 번호
Id - Continuous Drain Current
Channel Mode
Fall Time
RoHS
Qg - Gate Charge
트랜지스터 유형
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
Maximum Operating Temperature
Rds On - Drain-Source Resistance
장착 스타일
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Rise Time
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Pd - Power Dissipation
USHTS
CSD16321Q5T 서류
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