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Taiwan Semiconductor
TSM4NB65CI C0G
278-TSM4NB65CI C0G
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
549 pF @ 25 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
13.46 nC @ 10 V
제품상태
Obsolete
공급자 장치 패키지
ITO-220AB
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전력 소비(최대)
70W (Tc)
패키지/케이스
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
FAQ
TSM4NB65CI C0G의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 TSM4NB65CI C0G의 장착 방식은 Through Hole입니다.
TSM4NB65CI C0G은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
TSM4NB65CI C0G은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
TSM4NB65CI C0G은(는) 무엇인가요?
TSM4NB65CI C0G은(는) 현재 재고가 있나요?
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