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Taiwan Semiconductor
1N5406G B0G
280-1N5406G B0G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
속도
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
커패시턴스 @ Vr, F
25pF @ 4V, 1MHz
ECCN
EAR99
장착 유형
Through Hole
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
DO-201AD
전류 - 역방향 누설 @ Vr
5 µA @ 600 V
시리즈
-
FAQ
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