STMicroelectronics
STY100NM60N
단일 FET, MOSFET
STY100NM60N
278-STY100NM60N
STMicroelectronics-STY100NM60N-datasheets-2603781.pdf
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
재고 : 1140
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기술 사양
Unit Weight
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Id - Continuous Drain Current
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
Automotive
RoHS
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
Tradename
Maximum IDSS (uA)
트랜지스터 유형
패키지/케이스
채널 수
기술
REACH 상태
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Rds On - Drain-Source Resistance
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
Supplier Temperature Grade
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
Pin Count
Mounting
Lead Shape
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
SVHC
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
HTSUS
패키지
USHTS
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Qg - Gate Charge
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
전력 소비(최대)
Typical Fall Time (ns)
Process Technology
Package Height
제조업체
Vgs(최대)
Maximum Operating Temperature
RoHS 현황
장착 스타일
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Vgs - Gate-Source Voltage
Transistor Polarity
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
시리즈
Tab
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Pd - Power Dissipation
기본 제품 번호
등급
ECCN (EU)
RoHs compliant
STY100NM60N 서류
다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. STY100NM60N
MDmesh II Technology, Power MOSFET Transistors, 8" Wafer size Front-end Capacity Extension - Ang Mo Kio (Singapore) (PDF) Product / Process Change Notification (PDF) Product Change Notification (PDF) PRODUCT CHANGE NOTIFICATION (PDF) 관련 부품
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