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STMicroelectronics
STY100NM60N
278-STY100NM60N
PDF 데이터시트
600V N-CH MOSFET, 98A, 29mR RdsOn, TO-247
26 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
TO-247-3
Continuous Drain Current (ID)
98A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
29mR
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
키
20.3mm
입력 커패시턴스
9.6nF
FAQ
STY100NM60N의 표준 리드타임은 얼마인가요?
STY100NM60N에 현재 표시된 표준 리드타임은 26 Weeks입니다.
STY100NM60N은(는) 현재 재고가 있나요?
STY100NM60N에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
STY100NM60N은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
STY100NM60N에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
유효성
(재고 :
6 )
| 수량 | 단가 | 내선 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.61943 | $17.62 |
| 10+ | $17.09657 | $170.97 |
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