STMicroelectronics
STWA65N023M9
단일 FET, MOSFET
STWA65N023M9
278-STWA65N023M9
STMicroelectronics-STWA65N023M9-datasheets-49725.pdf
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
재고 : 6
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기술 사양
Unit Weight
Id - Continuous Drain Current
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Channel Mode
제품상태
공급자 장치 패키지
RoHS
Qg - Gate Charge
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
트랜지스터 유형
패키지/케이스
채널 수
기술
REACH 상태
제조업체
Vgs(최대)
Maximum Operating Temperature
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
장착 스타일
작동 온도
FET 기능
Vgs - Gate-Source Voltage
ECCN
Transistor Polarity
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
Minimum Operating Temperature
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
HTSUS
패키지
USHTS
기본 제품 번호
Supplier Package
ECCN (US)
등급
ECCN (EU)
RoHs compliant
STWA65N023M9 서류
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Product Change Notification 2024-06-18 (PDF) STWA65N023M9 (Zip) 관련 부품
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