STMicroelectronics_STP18NM80
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STMicroelectronics
STP18NM80

278-STP18NM80
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800V N-Channel MOSFET, 17A, 295mR, TO-220
13 Weeks

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original
D&B

기술 사양

패키지/케이스
TO-220
Continuous Drain Current (ID)
17A
Drain to Source Breakdown Voltage
800V
Drain to Source Resistance
295mR
드레인-소스 전압(Vdss)
800V
Drain-source On Resistance-Max
295MR
Fall Time
50ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
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FAQ

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