STMicroelectronics_STI18N60M2

STMicroelectronics
STI18N60M2  
단일 FET, MOSFET

STMicroelectronics
STI18N60M2
278-STI18N60M2
Ersa
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MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK
재고 : 963

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ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001

기술 사양

시리즈
REACH 상태
제조업체
ECCN
HTSUS
패키지
제품상태
RoHS 현황
기본 제품 번호
수분 민감도 수준(MSL)
장착 스타일
Unit Weight
구성
Vgs - Gate-Source Voltage
Id - Continuous Drain Current
Transistor Polarity
Channel Mode
RoHS
Qg - Gate Charge
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
패키지/케이스
채널 수
기술
Maximum Operating Temperature
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Pd - Power Dissipation
USHTS
Rds On - Drain-Source Resistance

STI18N60M2 서류

다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. STI18N60M2

Ersa Mult Dev OBS 3/Jul/2020      

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