STMicroelectronics
STI14NM65N
RF FET, MOSFET
STI14NM65N
285-STI14NM65N
STMicroelectronics-STI14NM65N-datasheets-19725146.pdf
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
재고 : 11016
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기술 사양
Status
Max Gate Charge
Continuous Drain Current at 25°C
Dimension
Max Input Capacitance
Gate-Source Threshold Voltage
Mounting
전력 소비(최대)
Quantity per package
Maximum Gate-Source Voltage
기술
Maximum Rds On at Id,Vgs
Polarity
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
패키지
Drain-Source Breakdown Voltage
Case / Package
Temperature Range - Operating
STI14NM65N 서류
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