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STMicroelectronics
STH360N4F6-2
278-STH360N4F6-2
PDF 데이터시트
N-channel 40 V, 180 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in H2PAK-2 package
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전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
TO-263-3
Continuous Drain Current (ID)
180A
Drain to Source Breakdown Voltage
40V
Drain to Source Resistance
1.25mR
드레인-소스 전압(Vdss)
40V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
입력 커패시턴스
17.93nF
Max Operating Temperature
175°C
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