STMicroelectronics
STH360N4F6-2
단일 FET, MOSFET
STH360N4F6-2
278-STH360N4F6-2
STMicroelectronics-STH360N4F6-2-datasheets-3862959.pdf
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
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기술 사양
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품상태
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
FET 기능
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
기본 제품 번호
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
구성
PCB changed
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
PPAP
Maximum Power Dissipation (mW)
Channel Mode
Automotive
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Supplier Package
Process Technology
Package Height
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Maximum Gate Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Pin Count
Mounting
Tab
Lead Shape
Part Status
SVHC
Package Width
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
STH360N4F6-2 서류
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