STMicroelectronics
STGY80H65DFB
단일 IGBT
STGY80H65DFB
279-STGY80H65DFB
STMicroelectronics-STGY80H65DFB-datasheets-12407881.pdf
IGBT 650V 120A 469W MAX247
재고 : 28
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기술 사양
구성
PPAP
제품상태
전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)
Automotive
Supplier Package
패키지/케이스
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)
REACH 상태
채널 유형
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
EU RoHS
IGBT 유형
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
테스트 조건
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
ECCN
장착 유형
전류 - 컬렉터 펄스(Icm)
Pin Count
Mounting
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
게이트 차지
Lead Shape
SVHC
HTSUS
패키지
역복구 시간(trr)
PCB changed
HTS
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
Td(켜기/끄기) @ 25°C
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Package Height
제조업체
RoHS 현황
입력 유형
스위칭 에너지
Maximum Continuous Collector Current (A)
SVHC Exceeds Threshold
Package Length
시리즈
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
Tab
전력 - 최대
Part Status
Package Width
기본 제품 번호
장착 스타일
Unit Weight
Gate-Emitter Leakage Current
RoHS
Minimum Operating Temperature
기술
Continuous Collector Current Ic Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Continuous Collector Current at 25 C
Maximum Operating Temperature
Pd - Power Dissipation
USHTS
Maximum Gate Emitter Voltage
STGY80H65DFB 서류
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IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014 STGx(x)80H65DFB STGx(x)80H65DFB 관련 부품
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