STMicroelectronics
STF26N65DM2
단일 FET, MOSFET
STF26N65DM2
278-STF26N65DM2
STMicroelectronics-STF26N65DM2-datasheets-13080043.pdf
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
재고 : 1
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기술 사양
Unit Weight
구성
Id - Continuous Drain Current
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Channel Mode
제품상태
공급자 장치 패키지
RoHS
Qg - Gate Charge
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
Tradename
패키지/케이스
채널 수
기술
REACH 상태
제조업체
Vgs(최대)
Maximum Operating Temperature
Rds On - Drain-Source Resistance
RoHS 현황
장착 스타일
작동 온도
FET 기능
Vgs - Gate-Source Voltage
ECCN
Transistor Polarity
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
HTSUS
패키지
Pd - Power Dissipation
USHTS
기본 제품 번호
Supplier Package
ECCN (US)
등급
ECCN (EU)
RoHs compliant
STF26N65DM2 서류
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