STMicroelectronics
STB8NM60D
단일 FET, MOSFET
STB8NM60D
278-STB8NM60D
MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
재고 : 1010
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기술 사양
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
Automotive
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
패키지/케이스
기술
REACH 상태
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Drain Source Voltage (V)
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Standard Package Name
Vgs(일)(최대) @ Id
Pin Count
Mounting
Lead Shape
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
SVHC
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
전력 소비(최대)
Typical Fall Time (ns)
Process Technology
Package Height
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
시리즈
Tab
Part Status
Package Width
기본 제품 번호
Unit Weight
Id - Continuous Drain Current
Fall Time
RoHS
Qg - Gate Charge
Tradename
트랜지스터 유형
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
키
Maximum Operating Temperature
너비
Rds On - Drain-Source Resistance
장착 스타일
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Rise Time
길이
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Pd - Power Dissipation
USHTS
STB8NM60D 서류
다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. STB8NM60D
ST(B,P)8NM60D STB8NM60D View All Specifications STB8NM60D obs 22/Jan/2024 ST(B,P)8NM60D IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014 D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013 관련 부품
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