STMicroelectronics
STB60NF06T4
단일 FET, MOSFET
STB60NF06T4
278-STB60NF06T4
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
재고 : 4239
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기술 사양
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
Automotive
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
패키지/케이스
기술
REACH 상태
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Standard Package Name
Vgs(일)(최대) @ Id
Pin Count
Mounting
Lead Shape
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
SVHC
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
전력 소비(최대)
Typical Fall Time (ns)
Package Height
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
시리즈
Tab
Part Status
Package Width
기본 제품 번호
Unit Weight
Id - Continuous Drain Current
Fall Time
RoHS
Qg - Gate Charge
트랜지스터 유형
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
키
Maximum Operating Temperature
너비
Rds On - Drain-Source Resistance
장착 스타일
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
유형
자격
Rise Time
길이
Forward Transconductance - Min
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Pd - Power Dissipation
USHTS
STB60NF06T4 서류
다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. STB60NF06T4
N-Channel STripFET™ 2nd Generation Automotive Products (PDF) Product Change Notification 2024-03-05 (PDF) PROCESS CHANGE NOTIFICATION (PDF) D2PAK Leads (Pins) Modification (PDF) Product Change Notification (PDF) PRODUCT CHANGE NOTIFICATION (PDF) 관련 부품
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