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STMicroelectronics
STB25NM60ND
278-STB25NM60ND
600V 21A N-CH MOSFET D2PAK, 160mR RdsOn
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책임 있는 품질
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기술 사양
패키지/케이스
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
21A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
160mR
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
160mR
Fall Time
40ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
FAQ
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